收藏本站
NTB6413AN, NTP6413AN, NVB6413AN
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
1
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01 0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001 0.01
0.1
1
10
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Device
NTB6413ANG
NTB6413ANT4G
NTP6413ANG
NVB6413ANT4G
Package
D 2 PAK
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
TO ? 220
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTB85N03T4G MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
NTBV5605T4G MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
NTC-04-0002 GU 7000 SERIES POWER CABLE
NTCDS3SG104GC4NB THERMISTOR NTC GLASS 100KOHM AXL
NTCG104LH104HT1 THERMISTOR NTC 100K OHM 3% 0402
NTD110N02RT4 MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
NTD12N10T4 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
NTD14N03RG MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
相关代理商/技术参数
NTB6413ANT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 40A 30MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6448ANG 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 80A 14MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6448ANT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 80 14MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB65N02R 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB65N02R_05 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB65N02RG 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB65N02RT4 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB65N02RT4G 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube